Name: 10x10x0.3 मिमी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज कच्चे सीवीडी हीरा प्लेट यांत्रिक ग्रेड
Brand: Shaper Diamond Technology Co., Ltd
SKU: जेएसडी
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

होम उत्पाद यांत्रिक सीवीडी हीरा

10x10x0.3 मिमी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज कच्चे सीवीडी हीरा प्लेट यांत्रिक ग्रेड

10x10x0.3mm Lab Grown Diamond Seeds Rough CVD Diamond Plate Mechanical Grade

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	हुनान, चीन
ब्रांड नाम:	Infi
मॉडल संख्या:	जेएसडी

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10pcs
मूल्य:	To be negotiated
पैकेजिंग विवरण:	बॉक्स में पैक किया गया और फिर कार्टन में
प्रसव के समय:	7 कार्यदिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, पेपैल
आपूर्ति की क्षमता:	100 पीसी/7 दिन

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विस्तृत उत्पाद विवरण

आकार:	10x10x0.3 मिमी	रंग:	बेरंग
उत्पाद का नाम:	सीवीडी डायमंड प्लेट	कठोरता (सूक्ष्म कठोरता):	80~150जीपीए
यंग मापांक:	1150~130ओजीपीए	थर्मल विस्तार गुणांक:	10-.K-l
घर्षण के गुणांक:	0.05 ~ 0.05	ऊष्मा चालकता:	1500-2000 w/ (m·K)
प्रमुखता देना:	10x10x0.3 मिमी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज , कच्चे प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज , सीवीडी डायमंड प्लेट मैकेनिकल ग्रेड

10x10x0.3mm लैब में उगाए गए डायमंड सीड्स रफ सीवीडी डायमंड प्लेट मैकेनिकल ग्रेड

उत्पाद विनिर्देश

विशेषता	मूल्य
आकार	10x10x0.3mm
रंग	रंगहीन
उत्पाद का नाम	सीवीडी डायमंड प्लेट
कठोरता (माइक्रोहार्डनेस)	80～150GPa
यंग का मापांक	1150～1300GPa
थर्मल विस्तार गुणांक	10^-6K^-1
घर्षण का गुणांक	0.05~0.05
थर्मल चालकता	1500-2000 W/(m·K)

उत्पाद विवरण

सिंगल क्रिस्टल डायमंड सीवीडी (रासायनिक वाष्प जमाव) सीवीडी प्रक्रिया का उपयोग करके उत्पादित एक प्रकार के हीरे को संदर्भित करता है। इस प्रक्रिया में, कार्बन युक्त गैसों के मिश्रण को नियंत्रित परिस्थितियों में विघटित किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप एक सब्सट्रेट पर एक सिंगल क्रिस्टल डायमंड परत बनती है।

सीवीडी सिंगल क्रिस्टल डायमंड गुण

अन्य प्रकार के सिंथेटिक हीरे की तुलना में, सिंगल क्रिस्टल डायमंड सीवीडी में एक अत्यधिक क्रमबद्ध क्रिस्टल संरचना होती है, जो इसे बेहतर भौतिक और यांत्रिक गुण प्रदान करती है। यह इसे उच्च-प्रदर्शन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है जहां कठोरता और थर्मल चालकता महत्वपूर्ण कारक हैं।

हीरा सामग्री प्राकृतिक सामग्रियों में सबसे अधिक तापीय चालकता रखती है (2200W/(m·K) तक - AIN का 7.5 गुना और SiC का 4.5 गुना)। स्थिर रासायनिक गुणों, उच्च इन्सुलेशन और छोटे ढांकता हुआ स्थिरांक के साथ संयुक्त, सिंगल क्रिस्टल डायमंड अगली पीढ़ी के उच्च-शक्ति, उच्च-आवृत्ति और कम-शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए प्रमुख सामग्री है।

विनिर्माण प्रक्रिया

माइक्रोवेव प्लाज्मा-सहायक रासायनिक वाष्प जमाव (MPACVD) का उपयोग करते हुए, माइक्रोवेव अनुनाद प्रणाली कम/मध्यम दबाव पर कार्बन युक्त गैस और संक्षारक गैस को तोड़ती है ताकि प्लाज्मा उत्पन्न हो सके। हमारी विकास रणनीति टाइप IIb डायमंड बीज क्रिस्टल के 100, 110 और 111 विकास दिशाओं में होमोएपि टैक्सियल विकास को सक्षम बनाती है।

उपलब्ध आकार