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होम उत्पादबोरॉन डोपेड डायमंड

कस्टम शुद्ध पॉलीक्रिस्टलाइन सीवीडी डायमंड बोरॉन डोपेड बीडीडी डायमंड 2 मिमी - 50 मिमी

कस्टम शुद्ध पॉलीक्रिस्टलाइन सीवीडी डायमंड बोरॉन डोपेड बीडीडी डायमंड 2 मिमी - 50 मिमी

  • Custom Pure Polycrystalline CVD Diamond Boron Doped BDD Diamond 2mm - 50mm
  • Custom Pure Polycrystalline CVD Diamond Boron Doped BDD Diamond 2mm - 50mm
Custom Pure Polycrystalline CVD Diamond Boron Doped BDD Diamond 2mm - 50mm
उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: चीनी
ब्रांड नाम: Chenguang
मॉडल संख्या: बीडीडी
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 10pcs
पैकेजिंग विवरण: पॉलीबैग में पैक किया गया और फिर कार्टन में
प्रसव के समय: 5 से 8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: एल/सी,टीटी,वेस्टर्न यूनियन
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विस्तृत उत्पाद विवरण
जैव: अच्छा जंग प्रतिरोध: उच्च
डोपिंग तत्व: बोरान सामग्री: डायमंड
सतह खुरदरापन: कम पहनने के प्रतिरोध: उच्च
प्रमुखता देना:

पॉलीक्रिस्टलीय सीवीडी बीडीडी हीरा

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शुद्ध पॉलीक्रिस्टलीय सीवीडी हीरा 2 मिमी

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कस्टम बोरॉन डोपेड बीडीडी डायमंड

शुद्ध पॉलीक्रिस्टलीय बोरॉन-डॉप्ड हीरा ((बीडीडी))

बोरॉन-डोपेड हीरा (बीडीडी) एक नया प्रकार का हीरा है जो हीरे की वृद्धि की प्रक्रिया में बोरॉन जोड़कर बनता है।बोरॉन युक्त हीरे से बने इलेक्ट्रोड को बीडीडी इलेक्ट्रोड या बोरॉन-डोप्ड हीरे के इलेक्ट्रोड भी कहा जाता हैबीडीडी इलेक्ट्रोड आमतौर पर रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) द्वारा पतली फिल्मों में बने होते हैं।

बीडीडी इलेक्ट्रोड में इलेक्ट्रोड एनोड के रूप में बोरॉन-डोप्ड हीरा फिल्म और इलेक्ट्रोलिसिस के लिए कैथोड के रूप में टाइटेनियम या अन्य सामग्रियों का उपयोग किया जाता है।बोरॉन-डोप्ड हीरा फिल्म की विशेष sp3 बंधन संरचना और इसकी विद्युत चालकता हीरा फिल्म इलेक्ट्रोड को उत्कृष्ट इलेक्ट्रोकेमिकल विशेषताएं देती है, अत्यंत उच्च ऑक्सीजन विकास क्षमता और सबसे व्यापक इलेक्ट्रोकेमिकल विंडो, कम पृष्ठभूमि धारा, और बेहतर भौतिक और रासायनिक स्थिरता और कम अवशोषण विशेषताएं।यह जैविक अपघटन के लिए कठिन कार्बनिक अपशिष्ट जल के इलेक्ट्रोकेमिकल ऑक्सीकरण उपचार के लिए एक आदर्श एनोड सामग्री है.

 

 

 

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मॉडल:

एक सीवीडी पॉलीक्रिस्टलीय बोरॉन-डोपेड डायमंड (बीडीडी)
क्रिस्टल विकास प्रक्रिया: सीवीडी बोरॉन-डोपाइड
रंगः काली
आकारः वृत्त, वर्ग, त्रिकोण
आकार सीमाः 2-50 मिमी, मोटाईः0.1-0.5-1.0 मिमी
उत्पाद की मुख्य विशेषताएंः बीडीडी एक अर्धधातुमी सामग्री है जो उच्च चालकता और तेजी से इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण की विशेषता है।उत्कृष्ट विद्युत रासायनिक गुणों के कारण बीडीडी इलेक्ट्रोड को अन्य इलेक्ट्रोड सामग्री से बेहतर माना जाता है.
मुख्य लाभों में निम्नलिखित शामिल हैंः
- उत्कृष्ट रासायनिक और आयामी स्थिरता,
- असाधारण रूप से कम पृष्ठभूमि धारा,
(iii) जल इलेक्ट्रोलिसिस के लिए एक अत्यंत व्यापक संभावित खिड़की,
- यूवी-विज़ क्षेत्र से लेकर दूर-अवरक्त क्षेत्र तक की पतली फिल्मों की एक विस्तृत विद्युत चुम्बकीय पारदर्शिता खिड़की,
- अन्य इलेक्ट्रोड सामग्री की तुलना में कम चुंबकीय संवेदनशीलता,
और (vi) उत्कृष्ट जैव संगतता (sp3 संकर संरचना) ।
उत्पाद की मुख्य विशेषताएंः समान परिस्थितियों में, बिगड़ते कार्बनिक पदार्थों में बीडीडी इलेक्ट्रोड की दक्षता और ऊर्जा खपत अन्य इलेक्ट्रोड की तुलना में काफी बेहतर है।
आवेदन विभिन्न प्रकार के कार्बनिक अपशिष्ट जल, जैसे कि चिकित्सा/कृषि रसायन, पेट्रो रसायन, कोकिंग, पिघलने, मुद्रण और रंगाई, कागज निर्माण, टार्निंग, विस्फोटक, शराब बनाने के क्षेत्र में कार्बनिक अपशिष्ट जल,लैंडफिल लिकचटआदि।
आवेदन नोट बीडीडी के गुण सेंसर और बायो सेंसर के विकास के लिए विद्युत-विश्लेषण में विशेष रूप से महत्वपूर्ण हैं।बीडीडी इलेक्ट्रोड जलीय माध्यमों में कई विद्युत सक्रिय अणुओं का पता लगाने की अनुमति देते हैं जो अन्यथा उच्च क्षमताओं पर जल अपघटन प्रतिक्रियाओं द्वारा मास्क किए जाएंगेBDD इलेक्ट्रोड की सतह को आगे (फोटो) कार्यात्मक या सजावटी बनाया जा सकता है। कार्बनिक अणुओं की उपस्थिति में विद्युत रासायनिक प्रतिक्रिया को बढ़ाने के लिए,BDD की सतह को धातु नैनोकणों (e) से भी संशोधित किया जा सकता है।बीडीडी भी विद्युत रासायनिक ऊर्जा भंडारण, विद्युत उत्प्रेरक या विद्युत संश्लेषण के लिए एक व्यापक रूप से इस्तेमाल किया इलेक्ट्रोड सामग्री है।
कृपया ध्यान दें कि दो बड़ी सतहों के समान गुण नहीं हैं। यह बीडीडी पॉलीक्रिस्टल के बाद के प्रसंस्करण का परिणाम है।जबकि एक सतह सिर्फ पॉलिश है दूसरे पहले लेजर कट और फिर पॉलिश है. लेजर कट के दौरान जारी तापमान बोरॉन डोपिंग के स्तर को प्रभावित करता है और परिणामस्वरूप चालकता को कम करता है। उपयोग से पहले रासायनिक उत्कीर्णन की सिफारिश की जाती है।
मोटाई सहिष्णुताः < 10%
जलीय माध्यमों में अपेक्षित संभावित खिड़कीः ~3.0 - 3.5 V
कार्बनिक मीडिया में अपेक्षित संभावित खिड़कीः ~5.0 - 7.5 वी
अपेक्षित क्षमता (रासायनिक उत्कीर्णन के बाद): ~10 μF cm2
मापा बी डोपिंग स्तरः 1.4·1020 सेमी3 (साइड ए), 4.5·1020 सेमी3 (साइड बी)
मापा प्रतिरोधः 9 ओम सेमी (साइड बी), 15 ओम सेमी (साइड ए)

 

 

सम्पर्क करने का विवरण
Shaper Diamond Technology Co., Ltd

व्यक्ति से संपर्क करें: Mrs. Alice Wang

दूरभाष: + 86 13574841950

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